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GTRA374902FC-V1-R0中文資料WOLFSPEED數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GTRA374902FC-V1-R0
廠商型號

GTRA374902FC-V1-R0

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W, 48 V, 3600 – 3700 MHz

文件大小

459.78 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-12 11:06:00

GTRA374902FC-V1-R0規(guī)格書詳情

Description

The GTRA374902FC is a 450-watt (P3dB) GaN on SiC high electron

mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power

amplifier applications. It features input matching, high efficiency,

and a thermally-enhanced package with earless flange.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Asymmetrical Doherty design

- Main: P3dB = 220 W Typ

- Peak: P3dB = 300 W Typ

? Typical Pulsed CW performance, 3700 MHz, 48 V,

Doherty @ P3dB, 10 μs, 10 duty cycle

- Output power = 450 W

- Drain efficiency = 60

- Gain = 11.5 dB

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 63 W

(WCDMA) output power

? Human Body Model Class 1A, (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

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