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GTVA126001EC-V1-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA126001EC-V1-R0
廠商型號

GTVA126001EC-V1-R0

參數(shù)屬性

GTVA126001EC-V1-R0 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz
600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET

封裝外殼

SOT-957A

文件大小

443.12 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 11:06:00

GTVA126001EC-V1-R0規(guī)格書詳情

GTVA126001EC-V1-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA126001EC-V1-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The GTVA126001EC and GTVA126001FC are 600-watt GaN on SiC high

electron mobility transistors (HEMT) for use in the DC - 1.4 GHz frequecy

band. They feature input matching, high efficiency, and thermallyenhanced packages.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical pulsed CW performance (class AB), 1200 MHz,

50 V, 300 μs pulse width, 10 duty cycle

- Output power (P3dB) = 600 W

- Drain efficiency = 65

- Gain = 18 dB

? Capable of withstanding a 10:1 load

mismatch (all phase angles) at 600 W peak power

under pulsed conditions: 300 μs pulse width, 10

duty cycle, VDD = 50 V, IDQ = 100 mA

? Human Body Model Class 1C (per AnSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    GTVA126001EC-V1-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 輸出:

    600W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-36248-2

  • 描述:

    600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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