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GTVA220701FA_V1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA220701FA_V1
廠商型號(hào)

GTVA220701FA_V1

參數(shù)屬性

GTVA220701FA_V1 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:GAN SIC

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 70 W, 50 V, 1805 – 2170 MHz
GAN SIC

文件大小

736.62 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-10 15:15:00

GTVA220701FA_V1規(guī)格書詳情

GTVA220701FA_V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA220701FA_V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The GTVA220701FA is a 70-watt (P3dB) GaN on SiC high electron

mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power

amplifier applications. It features input matching, high efficiency,

and a thermally-enhanced package with earless flange.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical CW performance, 1880 MHz, 48 V

- Output power at P3dB = 45 W

- Efficiency = 60.7

- Gain = 21.6 dB

? Human Body Model, Class 1A (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 40 W (CW)

output power

? RoHS-compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GTVA220701FA-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    GAN SIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
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8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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