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GTVA262701FA-V2-R0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GTVA262701FA-V2-R0 |
| 參數(shù)屬性 | GTVA262701FA-V2-R0 封裝/外殼為H-87265J-2；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz |
| 封裝外殼 | H-87265J-2 |
| 文件大小 |
489 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Cree, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
Cree【科銳】 |
| 中文名稱 | 科銳官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-10 9:10:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GTVA262701FA-V2-R0
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
17dB
- 功率 - 輸出：
270W
- 封裝/外殼：
H-87265J-2
- 供應商器件封裝：
H-87265J-2
- 描述：
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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