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GTVA262701FA-V2-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
GTVA262701FA-V2-R0 |
參數(shù)屬性 | GTVA262701FA-V2-R0 封裝/外殼為H-87265J-2;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz |
封裝外殼 | H-87265J-2 |
文件大小 |
506.76 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED, INC. |
企業(yè)簡稱 |
WOLFSPEED |
中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-27 23:00:00 |
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更多GTVA262701FA-V2-R0規(guī)格書詳情
GTVA262701FA-V2-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA262701FA-V2-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The GTVA262701FA is a 270-watt GaN on SiC high electron mobility
transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier
applications. It features input matching, high efficiency, and a
thermally-enhanced surface-mount package with earless flange.
Features
? GaN on SiC HEMT technology
? Input matched
? Typical pulsed CW performance: 10 μs pulse
width, 10 duty cycle, 2690 MHz, 48 V
- Output power at P3dB = 270 W
- Efficiency = 66
- Gain = 18.1 dB
? Human Body Model Class 1B (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 60 W
(WCDMA) output power
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
GTVA262701FA-V2-R0
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
GaN
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
HEMT
- 頻率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
17dB
- 功率 - 輸出:
270W
- 封裝/外殼:
H-87265J-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-87265J-2
- 描述:
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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