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GTVA262701FA-V2-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA262701FA-V2-R0
廠商型號

GTVA262701FA-V2-R0

參數(shù)屬性

GTVA262701FA-V2-R0 封裝/外殼為H-87265J-2;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

封裝外殼

H-87265J-2

文件大小

506.76 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-27 23:00:00

GTVA262701FA-V2-R0規(guī)格書詳情

GTVA262701FA-V2-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA262701FA-V2-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The GTVA262701FA is a 270-watt GaN on SiC high electron mobility

transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier

applications. It features input matching, high efficiency, and a

thermally-enhanced surface-mount package with earless flange.

Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical pulsed CW performance: 10 μs pulse

width, 10 duty cycle, 2690 MHz, 48 V

- Output power at P3dB = 270 W

- Efficiency = 66

- Gain = 18.1 dB

? Human Body Model Class 1B (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 60 W

(WCDMA) output power

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    GTVA262701FA-V2-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2.62GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    270W

  • 封裝/外殼:

    H-87265J-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-87265J-2

  • 描述:

    270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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