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IM820

Pb-free,RoHSandREACHcompliant

ILSI

ILSI America LLC

IQXO-820

CrystalClockOscillatorSpecification

IQD

IQD Frequency Products Ltd

IR-820

ImageRejectionMixers

BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD.

博威集成電路河北博威集成電路有限公司

IRF820

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF820

N-CHANNEL500V-2.5ohm-2.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET

DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=2.5? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALAN

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRF820

N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

IRF820

N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF820

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.5A)

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?

IRF

International Rectifier

IRF820

2.5A,500V,3.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRF820

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlev

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    H820RBCA

  • 制造商：

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Holco, Holsworthy

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 容差：

    ±0.1%

  • 功率 (W)：

    0.25W，1/4W

  • 成分：

    金屬薄膜

  • 特性：

    脈沖耐受

  • 溫度系數(shù)：

    ±50ppm/°C

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.098" 直徑 x 0.283" 長（2.50mm x 7.20mm）

  • 描述：

    RES 20 OHM 0.1% 1/4W AXIAL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
HITTITE
QFN
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一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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2022+
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6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多H820RBCA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 13:00:00

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