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IRF820

POWERMOSFET

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

IRF820

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3Ω(Max) ·FastSwitchingSpeed ·SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeedswitching ·Swithmodepowersupplies(smps) ·

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF820

N-ChannelPowerMOSFETs

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF820

20A600VNCHANNELPOWERMOSFET

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

IRF820

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF820

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF820A

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=3.0ohm,Id=2.5A)

Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?Highspeedpowerswitching Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCu

IRF

International Rectifier

IRF820A

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandcurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF820A

N-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?LowRDS(on)=2.0Ω(?TYP) ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?RuggedGateOxideTechnology

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF820A

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    H820RBCA

  • 制造商：

    TE Connectivity Passive Product

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Holco, Holsworthy

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 容差：

    ±0.1%

  • 功率 (W)：

    0.25W，1/4W

  • 成分：

    金屬薄膜

  • 特性：

    脈沖耐受

  • 溫度系數(shù)：

    ±50ppm/°C

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.098" 直徑 x 0.283" 長（2.50mm x 7.20mm）

  • 描述：

    RES 20 OHM 0.1% 1/4W AXIAL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HITTITE
QFN
6698
詢價
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N/A
75000
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2022+
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24+
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更多H820RBCA供應(yīng)商 更新時間2025-5-6 13:00:00

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