首頁(yè)>HGT1S10N120>芯片詳情

HGT1S10N120_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch安富世紀(jì)二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    HGT1S10N120

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-11 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：HGT1S10N120品牌：INFINEON

只做原裝現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    HGT1S10N120BNS

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    81.67 kb

  • 資料說(shuō)明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    HGT1S10N120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機(jī)：

    18100277303

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17E

相近型號(hào)