首頁>HGT1S14N36G3VLT>芯片詳情

HGT1S14N36G3VL 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
1000+
  • 廠家型號(hào):

    HGT1S14N36G3VL

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    RENESAS-瑞薩.

  • 庫存數(shù)量:

    78800

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-263-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+25+/26+27+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2025-2-2 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):HGT1S14N36G3VL品牌:RENESAS-瑞薩.

一一有問必回一特殊渠道一有長期訂貨一備貨HK倉庫

  • 芯片型號(hào):

    HGT1S14N36G3VL

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱:

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    6 頁

  • 文件大小:

    110.66 kb

  • 資料說明:

    14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGT1S14N36G3VLT

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 5V,14A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/7μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,7A,25歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I2PAK(TO-262)

  • 描述:

    IGBT 390V 18A 100W TO262AA

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    劉先生

  • 手機(jī):

    13147005145

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    131-4700-5145

  • 傳真:

    075583040836

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室