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HGT1S12N60A4DS_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch深圳良洲科技

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  • 廠家型號:

    HGT1S12N60A4DS

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    3200

  • 產(chǎn)品封裝:

    N/A

  • 生產(chǎn)批號:

    兩年內(nèi)

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-25 16:48:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號:HGT1S12N60A4DS品牌:ONSEMI

原裝現(xiàn)貨,實單價格可談

  • 芯片型號:

    HGT1S12N60A4DS

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱:

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    394.53 kb

  • 資料說明:

    600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    HGT1S12N60A4DS

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳良洲科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊夢琪

  • 手機(jī):

    19128244554

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-21010605

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1005、1007、1015號華強(qiáng)電子世界2號樓2層22C081