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HGT1S10N120BNS中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HGT1S10N120BNS
廠商型號(hào)

HGT1S10N120BNS

功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

文件大小

201.1 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 23:00:00

HGT1S10N120BNS規(guī)格書(shū)詳情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor

Features

? 35A, 1200V, TC = 25oC

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER? Model

www.fairchildsemi.com

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HGT1S10N120BNS

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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