首頁>HGT1S12N60A4DS>詳情

HGT1S12N60A4DS_FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch博浩通科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    HGT1S12N60A4DS

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    7750

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3P

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-25 16:02:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：HGT1S12N60A4DS品牌：Fairchild

全新原裝優(yōu)勢

  • 芯片型號(hào)：

    HGT1S12N60A4DS

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    173.18 kb

  • 資料說明：

    600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    HGT1S12N60A4DS

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博浩通科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/羅小姐

  • 手機(jī)：

    13798567707

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82818091

  • 傳真：

    0755-82818458

  • 地址：

    國內(nèi)業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北寶華大廈A座808,國際業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場3510A室(微信號(hào):sz8910)

相近型號(hào)