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HLDD6N10	文件：723.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDD6N10	文件：1.01927 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HM6N10	文件：688.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM6N10R	文件：593.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LMTM6N10	文件：930.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MTD6N10	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR,N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE,DPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD6N10	文件：345.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD6N10E	文件：211.53 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.400OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD6N10E	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP6N10	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N10	文件：172.33 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHD6N10E	文件：70.04 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP6N10E	文件：53.42 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJD6N10A	文件：402.59 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@3A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD6N10A	文件：401.65 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
SSFP6N10	文件：202 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
STD6N10	文件：171.05 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.35? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
UTT6N10	文件：147.01 Kbytes Page：3 Pages	100V,6AN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
UTT6N10Z	文件：475.2 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
UTT6N10Z	文件：168.05 Kbytes Page：3 Pages	100V,6AN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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更多HLDD6N10供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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