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HLDF10N80	文件：703.07 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDF10N80	文件：703.07 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HM10N80A	文件：985.08 Kbytes Page：10 Pages	siliconN-channelEnhanced	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM10N80F	文件：810.12 Kbytes Page：10 Pages	siliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS10N80F	文件：502.55 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS10N80K	文件：545.31 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IXFA10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N80P	文件：332.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH10N80P	文件：372.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N80	文件：295.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N80P	文件：397.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ10N80	文件：316.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFQ10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS10N80C	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	HLDH-650-A-20-1	HJ	16+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	HLDP120N06-AEA-11.3	白板	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	HLDP120N06-AEA-11.3	白板	23+	NA/	3260	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HLDP20N06	HLD	23+	TO220	28888	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	HLDP8003	HUILIDA/匯利達(dá)	2022	TO-220	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
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更多HLDF10N80供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 8:00:00

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