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HM3710	文件：581.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM3710K	文件：784.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IIRF3710	文件：338.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRF3710Z	文件：339.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFP3710	文件：334.79 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FullyAvalancheRated ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IR3710MTRPBF	文件：2.4413 Mbytes Page：20 Pages	WIDEINPUTANDOUTPUT,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR	IRF International Rectifier	IRF
IR3710MTRPBF	文件：2.28451 Mbytes Page：20 Pages	WIDEINPUTANDOUTPUT,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR	IRF International Rectifier	IRF
IRDC3710-DF	文件：726.33 Kbytes Page：13 Pages	USERGUIDEFORIRDC3710-DFEVALUATIONBOARD	IRF International Rectifier	IRF
IRDC3710-QFN	文件：693.58 Kbytes Page：13 Pages	USERGUIDEFORIRDC3710-QFNEVALUATIONBOARD	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=23mohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：346.96 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRF3710	文件：715.62 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710	文件：280.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(100V/59A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF3710	文件：65.319 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3710L	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710L	文件：300.38 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3710LPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A) VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：185.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23m? ID=57A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages	57A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI

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更多HM3710供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 14:01:00

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