首頁>HN1B01FDW1T1G>芯片詳情

HN1B01FDW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary宏捷佳二部

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    HN1B01FDW1T1G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    9350

  • 產(chǎn)品封裝:

    SC-74 SOT-457

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-11-8 10:54:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:HN1B01FDW1T1G品牌:onsemi

獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證

  • 芯片型號:

    HN1B01FDW1T1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    69.2 kb

  • 資料說明:

    Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    HN1B01FDW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    許小姐

  • 手機:

    13530520535

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83201583/83214703

  • 傳真:

    0755-22669259

  • 地址:

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室