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IRF830

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION TheNellIRF830areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

IRF830

N-ChannelPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYTMprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvaroussources. ●TypicalRDS(on)=1.35? ●EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ●100AVALAN

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF830

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF830A

HEXFETPowerMOSFET

SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    HSM830

  • 制造商：

    MICROSEMI

  • 制造商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 功能描述：

    8 Amp Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microsemi
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200000
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更多HSM830供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 15:14:00

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