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IRF830A	文件：969.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF830A	文件：3.49044 Mbytes Page：7 Pages	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRF830A	文件：280.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRF830AL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF830A
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRF830A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-16 13:00:00

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