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IRF830BPBF	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830BPBF-BE3	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830F	文件：384.32 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ?IRF830is500VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ?Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltageblockingcapability; ?AvalancheEnergySpecified; ?Source-to-DrainDiodeRecove	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF830FI	文件：64.099 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=3.0A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed ?SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ?Desingedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF830FP	文件：225.25 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF830FP	文件：405.68 Kbytes Page：5 Pages	4.5A500VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IRF830I-HF	文件：100.98 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercialindustrialthroughholeapplications. ▼EaseofParalleling ▼FastSwitchingChar	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
IRF830L	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830LPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830PBF	文件：876.43 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF830PBF	文件：135.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830PBF	文件：1.25525 Mbytes Page：6 Pages	5.0A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
IRF830PBF	文件：2.01616 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent APPLICATIONS ?Switchmodepowersupply(SMPS) ?Uninterruptiblepowersupply ?Highspee	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF830S	文件：175.73 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF830S	文件：2.01524 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=500V ●ID=4.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
IRF830S	文件：800.89 Kbytes Page：8 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2PAK(TO-263)issuitableforhighcurrentapplicationsbecause	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830S	文件：179.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830S	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF830SPBF	文件：329.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF830SPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRF830BPBF
功能描述：
MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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