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HY57V161610ET-15I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

HY57V161610ET-15

2Banksx512Kx16BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply ?All

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    HY57V161610ET-15I

  • 制造商:

    HYNIX

  • 制造商全稱:

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述:

    2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HYNIX
2016+
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更多HY57V161610ET-15I供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 11:36:00