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HY57V651620BLTC-7中文資料SK海力士數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY57V651620BLTC-7
廠商型號

HY57V651620BLTC-7

功能描述

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

文件大小

81.92 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Hynix Semiconductor
企業(yè)簡稱

HynixSK海力士

中文名稱

海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 16:30:00

HY57V651620BLTC-7規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The Hynix HY57V641620HG is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG is organized as 4banks of 1,048,576 x 16.

FEATURES

? Single 3.3±0.3V power supplyNote)

? All device pins are compatible with LVTTL interface

? JEDEC standard 400mil 54 pin TSOP-II with 0.8mm of pin pitch

? All inputs and outputs referenced to positive edge of system clock

? Data mask function by UDQM or LDQM

? Internal four banks operation

? Auto refresh and self refresh

? 4096 refresh cycles/64ms

? Programmable Burst Length and Burst Type

-1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

-1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

? Programmable CAS Latency; 2, 3 Clocks

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HY57V651620BLTC-7

  • 制造商:

    HYNIX

  • 制造商全稱:

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述:

    4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HYUNDAI
24+
TSOP
30
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HYN
23+
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TSSOP
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