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HYG420ND06LR1S_HY_Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET安富世紀(jì)二部

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  • 廠家型號(hào)：

    HYG420ND06LR1S

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    HY/華羿微

  • 庫存數(shù)量：

    6500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP8L

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HYG420ND06LR1S品牌：HY/華羿微

專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    HYG420ND06LR1S

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    HUAYI【華羿微電】詳情

  • 廠商全稱：

    HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

  • 中文名稱：

    華羿微電子股份有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    789.79 kb

  • 資料說明：

    Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機(jī)：

    18100277303

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17E

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