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I352HS,TCBC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：盒子，外殼，機架箱描述：BOX PLAS CLR 11.710\	SerpacSerpac Electronics Enclosures SerpacSerpac Electronics Enclosures	Serpac
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IL352	文件：128.199 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection Description TheIL352opticallycoupledisolatorthatfeaturesahighcurrenttransferratio,lowcouplingcapacitanceandhighisolationvoltage.IthasaGaAsinfraredemittingdiodeemitter,whichisopticallycoupledtoasiliconplanarphototransistordetector.Thecomponentishousedinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF352	文件：212.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF352	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,15A,350V/400V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRF352	文件：48.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?siliconGateforfastswitchingatelevate ?rugged APPLICATIONS ?highvoltage,highspeedapplicationssuchasoff-lineSwitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrolsrelayandsolenoiddriver.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF352	文件：91.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRFP352	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
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J352	文件：40.26 Kbytes Page：8 Pages	SiliconP-ChannelMOSFET Features ?Highpowergain ?Excellentfrequencyresponse ?Highspeedswitching ?Wideareaofsafeoperation ?Enhancement-mode ?Goodcomplementarycharacteristics ?Equippedwithgateprotectiondiodes Application Lowfrequencypoweramplifier Complementarypair	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
J352	文件：70.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Lowfrequencypoweramplifier Complementarypairwith2SK2220,2SK2221 Features ?Highpowergain ?Excellentfrequencyresponse ?Highspeedswitching ?Wideareaofsafeoperation ?Enhancement-mode ?Goodcomplementarycharacteristics ?Equippedwith	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
KPEG352	文件：102.27 Kbytes Page：5 Pages	PiezoAudioIndicator	KINGSTATEKingstate Electronics Corp. 志豐電子志豐電子股份有限公司	KINGSTATE
KRA352	文件：32.29 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ?WithBuilt-inBiasResistors. ?SimplifyCircuitDesign. ?ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ?HighOutputCurrent:-500mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
L352	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules ?LowProfile ?7DifferentCircuitstoChoosefrom ?DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydomCrydom Inc., 快達	crydom
L-352	文件：22.49 Kbytes Page：1 Pages	POWERLINECHOKE	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
L352F	文件：171.1 Kbytes Page：1 Pages	LowProfileDesignedforPCBConnections	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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產品屬性

產品編號：
I352HS,TCBC
制造商：
Serpac
類別：
盒子，外殼，機架 > 箱
系列：
I
包裝：
散裝
容器類型：
盒
大小 / 尺寸：
11.710" 長 x 9.980" 寬（297.43mm x 253.49mm）
高度：
7.460"（189.48mm）
面積 (L x W)：
117in2（755cm2）
設計：
鉸鏈式門，蓋
材料：
塑料 - 聚碳酸酯
顏色：
透明
厚度：
0.320"（8.13mm）
特性：
安裝法蘭，PCB 支架
等級：
IP67，NEMA 4
材料可燃性等級：
UL94 V-0
描述：
BOX PLAS CLR 11.710\

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