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IDT70P3307S233RMI

1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70P3307S233RMI

包裝：托盤 封裝/外殼：576-BBGA，F(xiàn)CBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PAR 576FCBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT70P3307S233RM

1024K/512Kx18SYNCHRONOUSDUALQDR-II

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT70P3307S233RMI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 雙端口，同步 QDR II

  • 存儲容量：

    18Mb（1M x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    576-BBGA，F(xiàn)CBGA

  • 供應商器件封裝：

    576-FCBGA（25x25）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PAR 576FCBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IDT70P3307S233RMI供應商 更新時間2024-12-29 10:50:00

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