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IDT71T75602S100PF

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT??SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71T75602S100PF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

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IDT71T75602S100PFI

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT??SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71T75602S100PFG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71T75602S100PFG8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71T75602S100BG

512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT?SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71T75602S100BG

2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

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Integrated Device Technology, Inc.

71T75602S100BGG

2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

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Integrated Device Technology, Inc.

71T75602S100BGG

512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT?SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71T75602S100BGGI

2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

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Integrated Device Technology, Inc.

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512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT?SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71T75602S100BGI

512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT?SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71T75602S100BGI

2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

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512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

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512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

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Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IDT71T75602S100PF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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100-TQFP(14x14)
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更多IDT71T75602S100PF供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 10:50:00

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