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IDT71V35761S200BG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IDT71V35761S200BG |
| 功能描述 | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 文件大小 |
282.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-10 18:07:00 |
| 人工找貨 | IDT71V35761S200BG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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IDT71V35761S200BG規(guī)格書詳情
Description
The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.
Features
◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations
◆Supports high system speed:
Commercial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
Commercial and Industrial:
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode
◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆3.3V core power supply
◆Power down controlled by ZZ input
◆3.3V I/O
◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)
◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IDT71V35761S200BG
- 功能描述：
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
- RoHS：
否
- 類別：
集成電路(IC) >> 存儲器
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
2,000
- 系列：
MoBL® 格式 -
- 存儲器：
RAM
- 存儲器類型：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
- 速度：
45ns
- 接口：
并聯(lián)
- 電源電壓：
2.2 V ~ 3.6 V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：
48-VFBGA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
48-VFBGA（6x8）
- 包裝：
帶卷(TR)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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