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IDT71V35761S200BGI中文資料IDT數據手冊PDF規(guī)格書

IDT71V35761S200BGI
廠商型號

IDT71V35761S200BGI
功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
文件大小

282.83 Kbytes
頁面數量

22 頁
生產廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-7 17:21:00

IDT71V35761S200BGI規(guī)格書詳情

Description

The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.

Features

◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

Commercial and Industrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode

◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆3.3V core power supply

◆Power down controlled by ZZ input

◆3.3V I/O

◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)

◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array

產品屬性

  • 型號：

    IDT71V35761S200BGI

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應商設備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IDT
23+
119-PBGA(14x22)
1389
專業(yè)分銷產品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
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119PBGA (14x22)
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119-BGA
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原裝現貨
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IDT, Integrated Device Techno
23+
165-CABGA13x15
7300
專注配單,只做原裝進口現貨
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