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IHW15N120R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW15N120R

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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IHW15N120R2

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,te

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IHW15N120R2

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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IHW15N120R3

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly ?TRENCHSTOP?technologyapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswitchingcapabilit

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IHW15N120R3

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

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IHW15N120R3_15

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

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IHW15N120R2

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

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IHW15N120R3FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 30A 254W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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IXGA15N120B

HiPerFASTIGBT

VCES=1200V IC25=30A VCE(sat)=3.2V tfi(typ)=160ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-220ABandTO-263AA ?Lowswitchinglosses,lowV(sat) ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IHW15N120R

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
24+
TO247
8866
詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
SINOPWER
23+
DFN5x6A-8EP
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
P-TO247-3-1
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
INFINEON
22+
TO247
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
INFINEON
23+
P-TO247-3-1
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
INFINEON
23+
P-TO247-3-1
8400
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
P-TO247-3-1
8400
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO247
7000
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
P-TO247-3-1
92004
詢價(jià)
更多IHW15N120R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 10:50:00

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