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IHW30N160R2

TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

TrenchStop?ReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -hi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N160R2FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHY30N160R2

TrenchStopReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IHW30N160R2

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEO
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原裝正品公司現(xiàn)貨
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全新原裝正品
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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Infineon(英飛凌)
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25900
新到現(xiàn)貨,只有原裝
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更多IHW30N160R2供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 15:00:00

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