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IKW40N65F5

650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation

Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP?5technologycopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowQG ?IGBTcopackedwithRAPID

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IKW40N65F5

650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation

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IKW40N65F5_13

650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation

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IKW40N65F5A

IGBT copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

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IKW40N65F5AXKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

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IKW40N65F5FKSA1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

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AIGB40N65F5

HighspeedFASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresstested ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101 ?Greenpackage(

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AIGBE40N65F5

HighspeedFASTIGBTinTRENCHSTOPTM5F5technology

FeaturesandBenefits: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresstested ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101 ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Innovative

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HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

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Highspeed5FASTIGBTinTRENCHSTOP5technology

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IGP40N65F5

650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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Highspeed5FASTIGBTinTRENCHSTOP5technology

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IGW40N65F5A

Highspeedswitchingseriesfifthgeneration

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IKP40N65F5

650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration

Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP?5technologycopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowQG ?IGBTcopackedwithRAPID

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IKW40N65F5

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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