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ILD1205T	文件：134.61 Kbytes Page：8 Pages	Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package, 110 ?C Rated DESCRIPTION The110°CratedILD1205T/1206T/1207TareopticallycoupledpairswithaGalliumArsenideinfraredLEDandasiliconNPNphototransistor.Signalinformation,includingaDClevel,canbetransmittedbythedevicewhilemaintainingahighdegreeofelectricalisolationbetweeninputan	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IN1205D	文件：53.18 Kbytes Page：1 Pages	DC-DCPowerSupplies	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IP1205S	文件：252.33 Kbytes Page：1 Pages	RegulatedSingle&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IP1205SA	文件：252.33 Kbytes Page：1 Pages	RegulatedSingle&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IPP-1205	文件：63.57 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE2-WAY	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IQ1205SA	文件：103.59 Kbytes Page：1 Pages	1Watt	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IR1205S	文件：72.35 Kbytes Page：1 Pages	Single&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IR1205SA	文件：72.35 Kbytes Page：1 Pages	Single&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IRFR/U1205PBF	文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205	文件：334.65 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR1205	文件：912.29 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205	文件：1.14541 Mbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRFR1205PBF	文件：397.83 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205PBF	文件：4.00508 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205PBF	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205TR	文件：1.09783 Mbytes Page：7 Pages	UltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)27m(VGS=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
IRFR1205TR	文件：1.14541 Mbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRFR1205TRPBF	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205TRPBF	文件：988.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
ILD1205T
功能描述：
晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 40-80%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
輸入類型：
DC
最大集電極/發(fā)射極電壓：
70 V
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：
0.4 V
絕緣電壓：
5300 Vrms
電流傳遞比：
100 % to 200 %
最大正向二極管電壓：
1.65 V
最大輸入二極管電流：
60 mA
最大集電極電流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作溫度：
+ 110 C
最小工作溫度：
- 55 C
封裝/箱體：
DIP-4
封裝：
Bulk

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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