首頁>IRFR1205>規(guī)格書詳情

IRFR1205中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR1205
廠商型號

IRFR1205
功能描述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A??
文件大小

144.52 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-7 22:30:00

IRFR1205規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

? Ultra Low On-Resistance

? Surface Mount (IRFR1205)

? Straight Lead (IRFU1205)

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFR1205

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
2020+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
IR
20+
TO-252
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
IR
10+
TO-252
119
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
IR
23+
NA/
1650
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
IR
24+
TO 252
160867
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR
TO-252
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
IR
1822+
TO-252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
 詢價
IR
24+
SOT-252
25000
一級專營品牌全新原裝熱賣
 詢價
IOR
23+
TO-252
8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價
IR
TO252
9500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價

相關庫存

更多