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IRFR1205

Ultra Low On-Resistance

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Ultr

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR1205

MOSFET

Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR1205

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A??

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR1205

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR1205PBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFR1205PBF

ULTRA LOW ON-RESISTANCE

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR1205TR

Marking：FR1205；Package：TO-252；Ultra LowOn-Resistance

Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)27m(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRFR1205TR

Marking：FR1205；Package：TO-252；MOSFET

Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR1205TRPBF

Ultra Low On-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFR1205TRPBF-TP

Marking：FR1205；Package：TO-252-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFE

Features| ?Vos=60V,lo=28A Rosny

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFR1205

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
22+
原廠封裝
9450
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
24+
TO 252
160867
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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IR
02+13+
TO-252
8112
原裝進(jìn)口無鉛現(xiàn)貨
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IR
24+
TO-252
140
詢價
IR
06+
TO-252
15000
原裝庫存
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23+
D-PAK
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23+
TO-252
35890
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1415+
TO-252(DPAK)
28500
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23+
TO-252
8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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更多IRFR1205供應(yīng)商 更新時間2025-4-30 17:13:00

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