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IRFR1205中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFR1205
廠商型號(hào)

IRFR1205

功能描述

MOSFET

文件大小

1.14541 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-18 8:40:00

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IRFR1205規(guī)格書詳情

Features

VDS (V) = 55V

ID= 44A (VGS=10V)

RDS(ON)< 27m? (VGS = 10V)

Description

Lead-Free

Ultra LowOn-Resistance

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,

infrared, or wave soldering technigues The straight lead version

is for through- hole mounting applications. Power dissipation levels

up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR1205

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
21+
TO-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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17+
TO-252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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24+
TO252
2000
大批量供應(yīng)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣
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IR
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絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
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TO252-3
360000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
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IR
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TO-252
85600
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
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IR
21+
TO252
1709
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Infineon Technologies
2022+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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2020+
TO-252
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-252
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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