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IRFR1205中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR1205
廠商型號

IRFR1205

功能描述

MOSFET

文件大小

1.14541 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-10-25 12:00:00

IRFR1205規(guī)格書詳情

Features

VDS (V) = 55V

ID= 44A (VGS=10V)

RDS(ON)< 27m? (VGS = 10V)

Description

Lead-Free

Ultra LowOn-Resistance

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,

infrared, or wave soldering technigues The straight lead version

is for through- hole mounting applications. Power dissipation levels

up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR1205

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
IR
20+
TO-252
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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原裝現(xiàn)貨庫存
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保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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TO-252
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