IRFR110TR中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFR110TR規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Surface Mount (IRFR110/SiHFR110)
? Straight Lead (IRFU110/SiHFU110)
? Available in Tape and Reel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR110TR
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
2000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO252 |
5000 |
全新原裝現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR/VISH |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONALRECTIFIER |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO252 |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
06+11+ |
TO-252 |
4999 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR/VISH |
2016+ |
TO-252 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D-PAK |
19526 |
詢價(jià) |
