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IRFR110中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR110
廠(chǎng)商型號(hào)

IRFR110
功能描述

Power MOSFET
文件大小

1.37078 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay【威世科技】

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-15 23:20:00

IRFR110規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFR110

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
1932+
TO-252
1076
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
IR
2020+
TO-252
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
IR/VISHAY
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢(xún)價(jià)
IR
22+
TO-252
9000
原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO 252
161382
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
21+
TO252
1709
詢(xún)價(jià)
IR
20+
TO-252
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
ir
24+
N/A
6980
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
ir
2023+
原廠(chǎng)封裝
50000
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)

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