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IRFR1205PBF	文件：397.83 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205PBF	文件：4.00508 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205PBF	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205PBF_15	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205TR	文件：1.09783 Mbytes Page：7 Pages	UltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)27m(VGS=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱UMW?)	UMW
IRFR1205TR	文件：1.14541 Mbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR1205TRPBF	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205TRPBF	文件：988.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFR1205TRR	文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205TRRPBF	文件：988.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFRU1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1205	文件：912.29 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU1205	文件：246.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU1205PBF	文件：397.83 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1205PBF	文件：995.84 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFU1205PBF	文件：4.00508 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRU1205	文件：40.91 Kbytes Page：6 Pages	300mAULTRALOWDROPOUTPOSITIVEADJUSTABLEANDFIXEDREGULATORS DESCRIPTION TheIRU1205deviceisanefficientlinearvoltageregulatorwithbetterthan1initialvoltageaccuracy,verylowdropoutvoltageandverylowgroundcurrentdesignedespeciallyforhandheld,batterypoweredapplications.Otherfeaturesofthedeviceare:TTLcompatibleenable/shutdo	IRF International Rectifier	IRF
IRU1205CL	文件：40.91 Kbytes Page：6 Pages	300mAULTRALOWDROPOUTPOSITIVEADJUSTABLEANDFIXEDREGULATORS DESCRIPTION TheIRU1205deviceisanefficientlinearvoltageregulatorwithbetterthan1initialvoltageaccuracy,verylowdropoutvoltageandverylowgroundcurrentdesignedespeciallyforhandheld,batterypoweredapplications.Otherfeaturesofthedeviceare:TTLcompatibleenable/shutdo	IRF International Rectifier	IRF
IRU1205-XX	文件：40.91 Kbytes Page：6 Pages	300mAULTRALOWDROPOUTPOSITIVEADJUSTABLEANDFIXEDREGULATORS DESCRIPTION TheIRU1205deviceisanefficientlinearvoltageregulatorwithbetterthan1initialvoltageaccuracy,verylowdropoutvoltageandverylowgroundcurrentdesignedespeciallyforhandheld,batterypoweredapplications.Otherfeaturesofthedeviceare:TTLcompatibleenable/shutdo	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR1205PBF
功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFR1205PBF	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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更多IRFR1205PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 9:59:00

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