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IRFR120NPBF	文件：395.05 Kbytes Page：11 Pages	Fast Switching VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NPBF	文件：4.0085 Mbytes Page：10 Pages	Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N) VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120NPBF	文件：396.01 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NPBF	文件：396.01 Kbytes Page：11 Pages	Surface Mount (IRFR120N)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NPBF_15	文件：396.01 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NTR	文件：536.66 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infraredorwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR120NTR	文件：466.21 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infraredorwavesoldering techniques.Powerdissipationlevelsupto 1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemount applications. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR120NTRPBF	文件：979.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR120NTRRPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120PBF	文件：2.12101 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.27廓,ID=7.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120PBF	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120PBF	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120PBF	文件：838.17 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120TR	文件：179.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR120) ?Str	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120TR	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120TRL	文件：1.88411 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120TRL	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120TRL	文件：4.27854 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120TRL	文件：4.27848 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120TRL	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR120NPBF
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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