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IRFR1205PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFR1205PBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRFR1205)
? Straight Lead (IRFU1205)
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR1205PBF
- 功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO252 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
1488 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
DPAK |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
2016+ |
TO-252 |
6523 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
4500 |
全新原裝品牌專營(yíng) |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
