IMBG65R022M1H 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個 INFINEON/英飛凌

原廠料號：IMBG65R022M1H品牌：Infineon(英飛凌)

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IMBG65R022M1H是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝N/A/的IMBG65R022M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

• 芯片型號：

  IMBG65R022M1H

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  15 頁

• 文件大小：

  1593.1 kb

• 資料說明：

  650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device