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IMBG65R050M2H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IMBG65R050M2H
廠商型號(hào)

IMBG65R050M2H

功能描述

MOSFET CoolSiCa MOSFET 650 V G2

文件大小

1.65401 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-28 8:00:00

IMBG65R050M2H規(guī)格書詳情

Features

? Ultra-low switching losses

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Robust against parasitic turn-on even with 0 V turn-off gate voltage

? Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme

? Robust body diode operation under hard commutation events

? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon
22
6000
全新、原裝
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
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英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售
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Infineon(英飛凌)
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9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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INFINEON
2023
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INFINEON
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