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IMBG65R107M1H

Marking:65R107M1;Package:PG-TO263-7-12;650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R107M1HXTMA1

包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

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IMT65R107M1H

MOSFET650VCoolSiCaM1SiCTrenchPowerDevice

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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IMW65R107M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
PG-TO263-7
14253
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
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Infineon
23+
PG-TO263-7
15500
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
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Infineon Technologies
23+
SMD
3652
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列
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7350
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Infineon
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24+
PG-TO263-7
9000
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Infineon(英飛凌)
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6000
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤
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Infineon/鑻遍鍑?573
瀹炲崟璇風(fēng)數(shù)璇濊仈緋?189234603
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INFINEON
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con
10000
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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INFINEON
24+
con
35960
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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更多IMBG65R107M1H供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 10:02:00

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