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IMW120R007M1H

Marking:12M1H007;Package:PG-TO247-3-STD-N2.5;CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=225AatTvj=25°C ?RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied ?Robustbodydiodefor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMZA120R007M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFET:SiliconCarbideMOSFETwith.XTinterconnectiontechnology

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=225AatTvj=25°C ?RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied ?Robustbodydiodefor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多IMW120R007M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 13:36:00