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IMZ120R060M1H

Marking：12M1H060；Package：PG-TO247-4；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features ?Verylowswitchinglosses ?Threshold-freeonstatecharacteristic ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?0Vturn-offgatevoltageforeasyandsimplegatedrive ?FullycontrollabledV/dt ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?Temperatureindependentturn-offs

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AIMBG120R060M1

FinaldatasheetCoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET:SiliconCarbideMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=38AatTC=25°C ?RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowestdev

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AIMCQ120R060M1T

CoolSiC?AutomotiveMOSFET1200VinHDSOP-22-3package

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=44AatTC=25°C ?RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowestdev

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AIMW120R060M1H

CoolSiC??Automotive1200VSiCTrenchMOSFET1200VG1SiliconCarbideMOSFET

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AIMZH120R060M1T

CoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=38AatTC=25°C ?RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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AIMZHN120R060M1T

CoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=38AatTC=25°C ?RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETwith.XTinterconnectiontechnology

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CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

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更多IMZ120R060M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 13:12:00

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