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IMZA120R014M1H

Marking：12M1H014；Package：PG-TO247-4-STD-T3.7；CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=127AatTvj=25°C ?RDS(on)=14mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Shortcircuitwithstandtime3μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagec

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMZA120R014M1H

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact)

Features ?Single-channelisolatedgatedriver ?Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs ?Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent ?45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) ?35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage ?Highcommon-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMW120R014M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFET:siliconcarbideMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=127AatTvj=25°C ?RDS(on)=14mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Shortcircuitwithstandtime3μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagec

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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更多IMZA120R014M1H供應商 更新時間2025-2-27 13:48:00

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