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INA111BP

HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA111BP

HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA111BU

HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA111BU

HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

IPMC-111PB

IndustrialminitypeEthernettofiberPoEmediaconverter

ORING

ORing Industrial Networking Corp

IRFE111

MultipleSmall-SignalTransistors

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

IRFF111

PowerMOSField-EffectTransistors

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

IRFF111

IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE

TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS111

GENERALPURPOSEDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS111

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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更多INA111AUBU供應(yīng)商 更新時間2025-3-30 15:16:00

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