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IRF121

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRDs

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRF121

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF121

NanosecondSwitchingSpeeds

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF121

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRF121

N-ChannelPowerMosfets,

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF121

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRF121

IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRFD121

1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul

HARRIS

Harris Corporation

IRFF121

N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors

5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

IRFR121

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    INA121P

  • 功能描述：

    儀表放大器 FET-Input Low Power Instrumentation Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 輸入補償電壓：

    150 V

  • 最大輸入電阻：

    10 kOhms

  • 共模抑制比（最小值）：

    88 dB

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 36 V

  • 電源電流：

    200 uA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 封裝/箱體：

    MSOP-8

  • 封裝：

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原盒原標,正品現(xiàn)貨,誠信經(jīng)營,假一罰十
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更多INA121P供應商 更新時間2025-5-4 11:16:00

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