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IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF121	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF121	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF121	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF121	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Mosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF121	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	Nanosecond Switching Speeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFD121	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFF121	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFR121	文件：320.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU121	文件：344.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IS121	文件：662.54 Kbytes Page：6 Pages	HIGHDENSITYMOUNTINGPHOTOTRANSISTOROPTICALLYCOUPLEDISOLATORS DESCRIPTION TheIS121isanopticallycoupledisolatorconsistingofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES ?MarkedasFPT1. ?CurrentTransferRatioMIN.50 ?IsolationVoltage(3.75kVRMS,5.3kVPK) ?Allel	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS121	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF121
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF121	IR	24+	TO-3	10000		詢價(jià)
綠盛電子(香港)有限公司	IRF121	IR	2015+	TO-3(鐵帽)	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF121	IR	23+	TO-3	3000	特價(jià)庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF121	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRF121	IR/MOT	專業(yè)鐵帽	TO-3	1500	原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF121	IR/MOT	專業(yè)鐵帽	TO-3	67500	鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRF121	HARRIS	2020+	TO-3	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF121	IR	21+	TO3P	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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更多IRF121供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 10:50:00

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