制造商 INFINEON/英飛凌
數(shù)據(jù)列表 BSC160N10NS3 G
標(biāo)準(zhǔn)包裝 5000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
系列 OptiMOS?
其它名稱 BSC160N10NS3G
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 8.8A（Ta），42A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 16 毫歐 @ 33A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 33μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1700pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
器件封裝 PG-TDSON-8-1
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