武漢新芯集成電路股份有限公司（簡稱：“新芯股份”）日前遞交招股書，準(zhǔn)備在科創(chuàng)板上市。新芯股份成立于2006年，是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體特色工藝晶圓代工企業(yè)，聚焦于特色存儲、數(shù)?；旌虾腿S集成等業(yè)務(wù)領(lǐng)域，可提供基于多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)、不同工藝平臺的各類半導(dǎo)體產(chǎn)品晶圓代工。
根據(jù)新芯股份招股書，截至本招股說明書簽署日，長控集團(tuán)直接持有發(fā)行人 68.19%的股份，系發(fā)行人的控股股東。長控集團(tuán)的股權(quán)結(jié)構(gòu)較為分散，結(jié)合長控集團(tuán)的歷史沿革、公司章程、董事高管提名及任命情況、股東會和董事會對重大事項(xiàng)的表決結(jié)果、內(nèi)部治理結(jié)構(gòu)及日常經(jīng)營管理決策，長控集團(tuán)不存在實(shí)際控制人，因此發(fā)行人不存在實(shí)際控制人。
長控集團(tuán)指長江存儲科技控股有限責(zé)任公司，以下是其股東構(gòu)成情況。
武漢新芯董事長為YANG SIMON SHI-NING（楊士寧）先生，1959 年出生，美國國籍，擁有中國永久居留權(quán)，美國倫斯勒理工學(xué)院物理學(xué)碩士、材料工程學(xué)博士。 YANG SIMON SHI-NING 先生 1987年至2010年先后任職于英特爾公司、中芯國際、CiWest 公司、特許（格芯）半導(dǎo)體公司；2010年2月至2011年9月任中芯國際首席營運(yùn)長官；2013年1月至2016年10 月任新芯有限首席執(zhí)行官；2016年7月至2022年9月任長江存儲首席執(zhí)行官；2022年12月至今任長控集團(tuán)副董事長、發(fā)行人董事長。
NOR Flash市場規(guī)模
NOR Flash 是一種非易失性存儲芯片，具有讀取速度快、可靠性強(qiáng)、可芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）等特點(diǎn)，在中低容量應(yīng)用以及需要用低功耗完成內(nèi)部指令執(zhí)行、系統(tǒng)數(shù)據(jù)交換等功能的產(chǎn)品上具備性能和成本上的優(yōu)勢，因此廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、 消費(fèi)電子（智能家居、TWS 耳機(jī)、穿戴式設(shè)備、路由器、機(jī)頂盒等）、汽車電子 （高級駕駛輔助系統(tǒng)、車窗控制、儀表盤）、工業(yè)控制（智能電表、機(jī)械控制）、 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。
根據(jù) TechInsights 預(yù)測，NOR Flash總體市場規(guī)模將在未來5年持續(xù)增長， 2024 年全球 NOR Flash 市場規(guī)模將達(dá)到 26.99 億美元，同比增長19.74%， 2023-2028 年的年均復(fù)合增長率為 9.17%。
NOR Flash 被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。
消費(fèi)電子領(lǐng)域，近幾年來，可穿戴式設(shè)備大幅提升了市場對NOR Flash的需求量，特別是在無線藍(lán)牙耳機(jī)產(chǎn)品上出現(xiàn)了爆發(fā)式增長。未來，各類智能化解決方案也將推動大容量（>1GB）NOR Flash 需求進(jìn)一步提升。
汽車電子市場，隨著汽車領(lǐng)域智能化發(fā)展的大趨勢，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）對 NOR Flash的需求量將進(jìn)一步提升。
工業(yè)控制上，“工業(yè) 4.0”概念提出的自動化概念將進(jìn)一步推動 NOR Flash 在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。
新芯股份是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash制造廠商，近十余年來持續(xù)深耕NOR Flash領(lǐng)域。截至2024 年3月底，公司12英寸NOR Flash 晶圓累計(jì)出貨量已經(jīng)超過130萬片。
NOR Flash制造工藝
目前，NOR Flash主要包括基于浮柵技術(shù)的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術(shù)的 SONOS 型兩類主流基礎(chǔ)工藝結(jié)構(gòu)。
ETOX型NOR Flash工藝結(jié)構(gòu)方面，新芯股份技術(shù)節(jié)點(diǎn)涵蓋65nm到50nm，其中自主研發(fā)的50nm 技術(shù)平臺具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的存儲密度。公司“代碼型閃存芯片成套核心技術(shù)研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目曾獲得湖北省科技進(jìn)步一等獎。報(bào)告期內(nèi)，公司與客戶二、客戶三等行業(yè)頭部客戶保持穩(wěn)定合作關(guān)系，為客戶提供各技術(shù)節(jié)點(diǎn)下各類ETOX 型 NOR Flash 晶圓代工。
公司自有品牌 NOR Flash產(chǎn)品采用ETOX 型工藝結(jié)構(gòu)，擦寫速度與耐受性、數(shù)據(jù)保持等可靠性與特性指標(biāo)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。報(bào)告期內(nèi)，公司主要以經(jīng)銷模式銷售NOR Flash產(chǎn)品，與行業(yè)頭部電子元器件分銷商形成了穩(wěn)定合作關(guān)系，主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
SONOS型NOR Flash工藝結(jié)構(gòu)方面，公司系客戶一代碼型閃存（產(chǎn)品 A）全球唯一晶圓代工供應(yīng)商。產(chǎn)品A主要應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制領(lǐng)域。
公司在特色存儲領(lǐng)域亦提供MCU產(chǎn)品的晶圓代工。MCU又稱單片微型計(jì)算機(jī)，系將CPU的頻率與規(guī)格做適當(dāng)縮減，并將 Flash、ADC、計(jì)數(shù)器等模塊集成到同一顆芯片，從而為不同的應(yīng)用場合提供組合控制。
公司擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的55nm ESF3 架構(gòu)1MCU工藝，其中超低功耗MCU平臺已穩(wěn)定量產(chǎn)、高性能 MCU平臺已完成研發(fā)。報(bào)告期內(nèi)，公司 MCU 領(lǐng)域客戶主要包括恒爍股份等，所代工 MCU 產(chǎn)品應(yīng)用場景由消費(fèi)電子逐步推進(jìn)至工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域。
新芯股份主營業(yè)務(wù)情況
新芯股份主營業(yè)務(wù)按照工藝平臺可劃分為特色存儲、數(shù)?；旌稀⑷S集成及其他領(lǐng)域。報(bào)告期內(nèi)，公司特色存儲工藝平臺實(shí)現(xiàn)的收入分別為 217,755.45 萬元、244,965.03 萬元、257,026.62 萬元和 59,148.63 萬元，占比分別為 74.32%、73.47%、 67.71%和 64.84%。公司在特色存儲領(lǐng)域主要提供 NOR Flash、MCU 等產(chǎn)品的晶圓代工，此外，還經(jīng)營自有品牌 NOR Flash 產(chǎn)品。
報(bào)告期內(nèi)，公司數(shù)?；旌瞎に嚻脚_實(shí)現(xiàn)的收入分別為 57,271.20萬元、 67,142.22萬元、76,898.96萬元和26,328.63萬元，占比分別為19.55%、20.14%、20.26%和28.86%。數(shù)?；旌鲜枪局攸c(diǎn)發(fā)展方向，主要提供 CIS、RF-SOI 等產(chǎn)品晶圓代工。公司結(jié)合客戶需求逐漸將產(chǎn)品與技術(shù)向高端CIS領(lǐng)域延拓，同時(shí)RF-SOI的需求量及供應(yīng)量也逐步增加。
報(bào)告期內(nèi)，公司三維集成工藝平臺實(shí)現(xiàn)的收入分別為15,828.22 萬元、21,116.78萬元、17,225.98 萬元和 5,749.17 萬元，占比分別為 5.40%、6.33%、4.54%和6.30%。三維集成亦是公司未來重點(diǎn)發(fā)展的方向。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)2023-2028 年，全球三維集成技術(shù)制造市場規(guī)模年均復(fù)合增長率約34.45%，公司將持續(xù)深耕該平臺技術(shù)創(chuàng)新及市場開拓，助力公司營業(yè)收入穩(wěn)步增長。
在特色存儲領(lǐng)域，公司在NOR Flash產(chǎn)品代工領(lǐng)域持續(xù)深耕超過16年，是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash 制造廠商，技術(shù)實(shí)力位居全球前列。在數(shù)模混合領(lǐng)域，公司的RF-SOI工藝擁有自主可控的完整知識產(chǎn)權(quán)，已完成55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)與研發(fā)，并涵蓋多種類產(chǎn)品。在三維集成領(lǐng)域，公司成功建成了國際領(lǐng)先的晶圓級三維集成技術(shù)平臺，取得了核心技術(shù)和關(guān)鍵產(chǎn)品的突破。
截至 2024年3月31 日，公司共有員工 1,916 人，其中研發(fā)人員330人，占比達(dá)到17.22%。團(tuán)隊(duì)將國際先進(jìn)半導(dǎo)體制造理念與公司特色相結(jié)合，持續(xù)推動公司進(jìn)一步提升技術(shù)實(shí)力。
募資48億元，發(fā)力三維集成等
新芯股份計(jì)劃募資48億元，其中43億元用于12英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項(xiàng)目，5億元用于特色技術(shù)迭代及研發(fā)配套項(xiàng)目。
公司 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)一條規(guī)劃產(chǎn)能5.0萬片/ 月的12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線，其中三維集成業(yè)務(wù)（雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構(gòu)集成、2.5D 以及配套邏輯）相關(guān)產(chǎn)能合計(jì) 4.0 萬片/月，RF-SOI 產(chǎn)能 1.0萬片/月，實(shí)施主體為發(fā)行人。
隨著摩爾定律不斷進(jìn)步，集成電路產(chǎn)品最小線寬已接近極限，通過進(jìn)一步縮小工藝節(jié)點(diǎn)以更好滿足算力、速度、功耗、面積方面的需求越發(fā)困難，晶圓級三維集成技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)“超越摩爾”的重要途徑。
晶圓級三維集成技術(shù)系指在垂直方向上將載片或功能晶圓堆疊，或?qū)⑿酒c晶圓進(jìn)行堆疊，并在各層之間通過硅通孔、混合鍵合等工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)直接的電氣互連。通過晶圓級三維集成，可繞開單片晶圓單一制程節(jié)點(diǎn)限制，將使用最優(yōu)制程節(jié)點(diǎn)的各功能晶圓進(jìn)行集成，并有效提高單位面積功能密度。與引線鍵合（Wire Bonding）、倒裝鍵合（Flip Chip）等封裝方式相比，晶圓級三維集成技術(shù)提供更 高的芯片間互聯(lián)密度、更短芯片間互連長度，可以更好降低延時(shí)、增加傳輸帶寬，滿足低功耗、小尺寸等要求。
公司具有國際領(lǐng)先的晶圓級三維集成技術(shù)。報(bào)告期內(nèi)，公司三維集成業(yè)務(wù)主要系按照工藝架構(gòu)進(jìn)行劃分，已成功構(gòu)建雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構(gòu)集成和 2.5D（硅轉(zhuǎn)接板 Interposer）四大工藝平臺，應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域各類產(chǎn)品的晶圓代工。
雙晶圓堆疊平臺：該平臺將兩片晶圓的介質(zhì)層與金屬層通過低溫直接鍵合的方式形成金屬互連，在有效減小芯片面積的同時(shí)大量增加 I/O 數(shù)量，達(dá)到增加傳輸帶寬、降低延時(shí)及系統(tǒng)功耗的優(yōu)點(diǎn)，目前支持業(yè)界最小的混合鍵合連接孔距（HB pitch）。
多晶圓堆疊平臺：該平臺通過無凸點(diǎn)（Bumpless）工藝實(shí)現(xiàn)多片晶圓的銅-銅直接、超高密度互連，其互連尺寸遠(yuǎn)小于微凸塊封裝等方式，可顯著提升傳輸帶寬，且對散熱更加友好、有利于降低功耗。
芯片-晶圓異構(gòu)集成平臺：該平臺可實(shí)現(xiàn)不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圓間直接鍵合，極大提升系統(tǒng)集成的靈活自由度，公司建成了中國大陸首條完全自主可控的三維異構(gòu)集成工藝產(chǎn)線，正與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)深度合作進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。
2.5D（硅轉(zhuǎn)接板 Interposer）平臺：該平臺提供具有靈活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深溝槽電容、多層金屬重布線層等技術(shù)優(yōu)勢的硅轉(zhuǎn)接板，可與 2.5D 封裝工藝相結(jié)合，為集成系統(tǒng)提供亞微米級精度銅互連，顯著減小系統(tǒng)延遲、插損及功耗等，目前已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn)。
新芯股份表示，三維集成領(lǐng)域是公司未來發(fā)展的重點(diǎn)方向，也是公司 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項(xiàng)目的主要組成部分。公司致力于成為三維時(shí)代半導(dǎo)體先進(jìn)制造引領(lǐng)者，預(yù)計(jì)未來三維集成業(yè)務(wù)占比將逐步提升。
